Samsung 3nm 制程计划投产 超低功耗晶片新时代

admin 8个月前 (01-30) 快讯 61 0

Samsung 宣布计划 2030 年前投产 3nm 制程的硅晶圆盘 (Silicon Wafer),届时市场上的 DRAM 记忆体、NAND Flash 快闪记忆体,以至 Samsung 自家 Exynos 系列手机处理器,将达到超低功耗时代。技术重点是 Samsung 自家 GAAFET (Gate All Around FET) 晶片技术,{取代现时} FinFET (Fin field-effect FET),在更小空间下,1 〖条〗〖通道〗 (Channel) ‘能让更多闸极’ (Gate) 通过。

  • 2030 年前量产 3nm 晶片
  • 改良电晶体及电路结构
  • 投资额高达 1,118.5 亿美元

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制程单位数值愈细,代表晶片内部电晶体布线,结构可以造得愈复杂。现时 Samsung (三星) 与 TSMC (台积电) 均有能力生产 7nm EUVL 制程的晶片,双方也计划发展 5nm,「然而」 Samsung 已明确计划生产 3nm 晶片,目标是 2030 年前。晶片内部布线,其实仿如建筑物的间格,垂直的「墙」称为 Gate (闸极);穿过 Gate 的「钢筋」 线路[,则称为 Channel (〖通道〗)。

现时 7nm 及 FinFET 技术下,Gate 造得较高,《左侧》、《顶端》、右侧共 3 个表面,<能与> Gate (接触)。但未来 3nm 及 GAAFET 技术下,Channel 将大幅缩小,让可多达 3 〖条〗直接贯穿 Gate。由于每〖条〗 Channel 的横切面积是呈长方形,有 4 个表面;3 〖条〗 Gate 便等于 12 个表面,<能与> Gate (接触),大幅提高晶片内部 线路[的使用效率,而且能承受 30GHz 级数超高时脉。

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Samsung 表示将投资 1,118.5 亿美元,在南韩建设 3nm GAAFET 硅晶圆盘生产厂房。虽然要 2030 至 2031 年,才开始有 3nm 晶片产品,但其实与用家息息相关。届时 DRAM、NAND Flash、手机处理器、电脑平台 GPU 等,若以 3nm GAAFET 制程,晶片体积将极细小,电晶体 (Transistors) 数量大幅提高,令容量或效能均能大幅加强,但功耗却极低。

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Source:ezone.hk、Wccftech


“原文连接”:https://ezone.ulifestyle.com.hk/article/2534308/Samsung%203nm%20%E8%A3%BD%E7%A8%8B%E8%A8%88%E5%8A%83%E6%8A%95%E7%94%A2%20%20%E8%B6%85%E4%BD%8E%E5%8A%9F%E8%80%97%E6%99%B6%E7%89%87%E6%96%B0%E6%99%82%E4%BB%A3
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